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IMZC120R012M2HXKSA1

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IMZC120R012M2HXKSA1

メーカー:

インフィニオン・テクノロジーズ

記述:

IMZC120R012M2HXKSA1

供給者のデバイスパッケージ:

PG-TO247-4-17

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ストック:

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製品詳細

シリーズ:

CoolSiC™

FETタイプ:

Nチャンネル

テクノロジー:

SiC (シリコン・カービッド・ジャンクション・トランジスタ)

流出電圧から源電圧 (Vdss):

1200V

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

129A （Tc）

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):

15V、18V

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

12mOhm @ 57A, 18V

Vgs(th) (最大) @ Id:

5.1V @ 17.8mA

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

124 nC @ 18 V

Vgs (最大):

+23V、-7V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

4050 pF @ 800 V

電力損失（最高）:

480W (Tc)

製品説明

IMZC120R012M2HXKSA1-データシート

典型的な用途

- 切り替え損失は低い

- T までの過負荷操作_vj= 200°C

- 短回路耐久時間 2 μs

- 頑丈なボディダイオード

- 熱性能向上のためのXT接続技術

IMZC120R012M2Hは,インフィニオン・テクノロジーズの1200V,12mΩ Nチャネルシリコンカービッド (SiC) MOSFETで,高効率,高電力密度のアプリケーション用に設計されている.

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