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IMZC120R012M2H

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IMZC120R012M2H

メーカー:

インフィニオン・テクノロジーズ

記述:

最大幅 VGS範囲 -10Vから+25V

供給者のデバイスパッケージ:

PG-TO247-4

速やかに RFQ

ストック:

RFQを送信してください,我々はすぐに応答します. (*必須である)

製品詳細

利益:

より高い電力の密度

シス:

4050 pF

コス:

176 pF

ID (@ T)_{C について}=25°C) 最大:

129A

Ptot (@ T)_{A について}=25°C) 最大:

480 W

ピン・カウント:

4つのピン

極性:

N

Qg:

紀元後124年

Qgd:

34 NC

資格:

産業用

RDS (オン) (@ Tj = 25°C):

12mΩ

RthJA 最大:

62 K/W

RthJC 最大:

0.31 K/W

テクノロジー:

コールSiCTM G2

VDS 最大:

1200V

湿気のレベル:

NA

製品説明

IMZC120R012M2H-データシート

典型的な用途

- 汎用ドライブ (GPD)

- 電動車 (EV) の充電

- オンラインの不中断電源 (UPS)

- 太陽光発電の最適化器

- ストリングインバーター

- エネルギー貯蔵システム (ESS)

- ウェルディング機器

IMZC120R012M2Hは,インフィニオン・テクノロジーズの1200V,12mΩ Nチャネルシリコンカービッド (SiC) MOSFETで,高効率,高電力密度のアプリケーション用に設計されている.

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