についてクールシCTM MOSFET 離散1200 V, 34 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高スリップパケットは,よりコスト最適化のための先進的なソリューションを提供する重要な改善を伴う第1世代技術の強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階.
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