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IMZC120R022M2H

Name: IMZC120R022M2H
Brand: Shikun Electronics Co., Ltd
SKU: IMZC120R022M2H
Availability: InStock

IMZC120R022M2H

メーカー:

インフィニオン・テクノロジーズ

記述:

最大幅 VGS範囲 -10Vから+25V

供給者のデバイスパッケージ:

PG-TO247-4

速やかに RFQ

ストック:

RFQを送信してください,我々はすぐに応答します. (*必須である)

製品詳細

利益:

より高い電力の密度

シス:

2330 pF

コス:

100 pF

ID (@ T)_{C について}=25°C) 最大:

80A

Ptot (@ T)_{A について}=25°C) 最大:

329W

ピン・カウント:

4つのピン

極性:

Qg:

71年

Qgd:

19 NC

資格:

産業用

RDS (オン) (@ Tj = 25°C):

22mΩ

RthJA 最大:

62 K/W

RthJC 最大:

0.46K/W

テクノロジー:

コールSiCTM G2

VDS 最大:

1200V

湿気のレベル:

製品説明

IMZC120R022M2H-データシート

についてクールシCTM MOSFET 離散1200V,22mΩ G2 高いクリーピングパッケージのTO-247 4ピンで,よりコスト最適化のための高度なソリューションを提供する重要な改善を伴うGeneration 1技術の強みに基づいています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階.

典型的な用途

電気自動車の充電
- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器
ストリングインバーター貯蔵システム
- ウェルディング機器

IMZC120R022M2H 関連製品

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IMZC120R078M2H-データシートについてクールシCTM MOSFET 離散1200 V,78 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高スリップパケットは,よりコスト最適化のための先進的なソリューションを提供する重要な改善を伴う第1世代技術の強みに基づいています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター貯蔵システム- ウェルディング機器

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典型的な用途

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