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FDS9926A
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FDS9926A

メーカー:
一半
記述:
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC
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製品詳細
メンター・パート#:
FDS9926A
ストック:
15176
製品カテゴリー:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
6.5A
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
FETの特徴:
論理のレベルのゲート
FETタイプ:
2 N-Channel （二重）
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
9nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
650pF @ 10V
マウントタイプ:
表面マウント
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パワー - マックス:
900mW
製品の状況:
アクティブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 6.5A,4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.5V @ 250µA
製品説明
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IMZC120R040M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散高クリページパッケージのTO-247 4ピンで1200V,40mΩ G2は,よりコスト最適化のための先進的なソリューションを提供する重要な改善を伴う第1世代技術の強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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IMZC120R034M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散1200 V, 34 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高スリップパケットは,よりコスト最適化のための先進的なソリューションを提供する重要な改善を伴う第1世代技術の強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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IMZC120R026M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散1200 V,26 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高クリップパケットは,よりコスト最適化のための高度なソリューションを提供する重要な改善を伴うGeneration 1 テクノロジーの強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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