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QS8M51TR

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QS8M51TR

メーカー:

ROHM 半導体

記述:

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

供給者のデバイスパッケージ:

TSMT8

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製品詳細

メンター・パート#:

QS8M51TR

ストック:

28721

製品カテゴリー:

トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

2A,1.5A

流出電圧から源電圧 (Vdss):

100V

FETの特徴:

論理のレベルのゲート

FETタイプ:

NおよびP-Channel

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

4.7nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

290pF @ 25V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

8-SMDの平らな鉛

パワー - マックス:

1.5W

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ Id:

2.5V@1mA

製品説明

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