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EPC2102

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EPC2102

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EPCについて

記述:

GAN トランス対称半橋

供給者のデバイスパッケージ:

死ぬ

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製品詳細

メンター・パート#:

EPC2102

ストック:

1391

製品カテゴリー:

トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

23A

流出電圧から源電圧 (Vdss):

60V

FETの特徴:

ガンフェット (ガリウムナトリド)

FETタイプ:

2 N-Channel （半分橋）

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

6.8nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

830pF @ 30V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-40°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

死ぬ

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th) (最大) @ Id:

2.5V @ 7mA

製品説明

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