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SIZ342ADT-T1-GE3
品質 [#varpname#] 工場

SIZ342ADT-T1-GE3

メーカー:
ヴィシェイ
記述:
MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 × 3 メートル
供給者のデバイスパッケージ:
8-Power33 （3x3）
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製品詳細
メンター・パート#:
SIZ342ADT-T1-GE3
ストック:
3612
製品カテゴリー:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
FETの特徴:
スタンダード
FETタイプ:
2 N-Channel （二重）
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
12.2nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
580pF @ 15V
マウントタイプ:
表面マウント
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
8-PowerWDFN
パワー - マックス:
3.7W (Ta),16.7W (Tc)
製品の状況:
アクティブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.4V @ 250μA
製品説明
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