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SIZF906BDT-T1-GE3

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SIZF906BDT-T1-GE3

メーカー:

ヴィシェイ

記述:

双 N チャネル 30 V (D-S) MOSFET

供給者のデバイスパッケージ:

8-PowerPair® (6x5)

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製品詳細

メンター・パート#:

SIZF906BDT-T1-GE3

ストック:

75000

製品カテゴリー:

トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)

流出電圧から源電圧 (Vdss):

30V

FETの特徴:

スタンダード

FETタイプ:

2 Nチャンネル (ダブル) ショットキー

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

49nC @ 10V,165nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

1630pF @ 15V,5550pF @ 15V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-55°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

8-PowerWDFN

パワー - マックス:

4.5W (Ta),38W (Tc),5W (Ta),83W (Tc)

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

2.1mOhm @ 15A, 10V, 680μOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大) @ Id:

2.2V @ 250µA

製品説明

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