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SCT3030ALGC11

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SCT3030ALGC11

メーカー:

ROHM 半導体

記述:

SICFET N-CH 650V 70Aから247N

供給者のデバイスパッケージ:

TO-247N

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製品詳細

メンター・パート#:

SCT3030ALGC11

ストック:

6244

製品カテゴリー:

単一トランジスター- FETs、MOSFETs -

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

70A (Tc)

流出電圧から源電圧 (Vdss):

650ボルト

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):

18V

FETタイプ:

Nチャンネル

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

104 nC @ 18 V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

1526 pF @ 500 V

マウントタイプ:

穴を抜ける

動作温度:

175°C (TJ)

パッケージ/ケース:

TO-247-3

電力損失（最高）:

262W （Tc）

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

39mOhm @ 27A, 18V

テクノロジー:

SiCFET （炭化ケイ素）

Vgs (最大):

+22V、-4V

Vgs(th) (最大) @ Id:

5.6V @ 13.3mA

製品説明

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