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RYM002N05T2CL
品質 [#varpname#] 工場

RYM002N05T2CL

メーカー:
ROHM 半導体
記述:
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
供給者のデバイスパッケージ:
VMT3
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製品詳細
メンター・パート#:
RYM002N05T2CL
ストック:
716243
製品カテゴリー:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
200mA （Ta）
流出電圧から源電圧 (Vdss):
50V
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
0.9V,4.5V
FETタイプ:
Nチャンネル
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
26 pF @ 10 V
マウントタイプ:
表面マウント
動作温度:
150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SOT-723
電力損失（最高）:
150mW（タ）
製品の状況:
アクティブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 200mA,4.5V
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs (最大):
±8V
Vgs(th) (最大) @ Id:
800mV @ 1mA
製品説明
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IMZC120R040M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散高クリページパッケージのTO-247 4ピンで1200V,40mΩ G2は,よりコスト最適化のための先進的なソリューションを提供する重要な改善を伴う第1世代技術の強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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IMZC120R034M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散1200 V, 34 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高スリップパケットは,よりコスト最適化のための先進的なソリューションを提供する重要な改善を伴う第1世代技術の強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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IMZC120R026M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散1200 V,26 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高クリップパケットは,よりコスト最適化のための高度なソリューションを提供する重要な改善を伴うGeneration 1 テクノロジーの強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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AIMCQ120R060M1Tデータシート 典型的な用途 搭載充電器 (OBC):電気自動車の効率的な電源変換. DC-DCコンバーター:自動車システムにおける高効率の電力管理 トラクションインバーター:電気自動車の推進システム.
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