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SI2301CDS-T1-GE3

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SI2301CDS-T1-GE3

メーカー:

ヴィシェイ

記述:

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

供給者のデバイスパッケージ:

SOT-23-3 (TO-236)

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製品詳細

メンター・パート#:

SI2301CDS-T1-GE3

ストック:

104235

製品カテゴリー:

単一トランジスター- FETs、MOSFETs -

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

3.1A （Tc）

流出電圧から源電圧 (Vdss):

20V

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):

2.5V、4.5V

FETタイプ:

P-Channel

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

10 NC @ 4.5ボルト

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

405 pF @ 10 V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-55°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

電力損失（最高）:

860mW (Ta),1.6W (Tc)

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

112mOhm @ 2.8A 4.5V

テクノロジー:

MOSFET （金属酸化物）

Vgs (最大):

±8V

Vgs(th) (最大) @ Id:

1V @ 250µA

製品説明

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