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SI2304BDS-T1-GE3

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SI2304BDS-T1-GE3

メーカー:

ヴィシェイ

記述:

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

供給者のデバイスパッケージ:

SOT-23-3 (TO-236)

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製品詳細

メンター・パート#:

SI2304BDS-T1-GE3

ストック:

13431

製品カテゴリー:

単一トランジスター- FETs、MOSFETs -

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

2.6A （Ta）

流出電圧から源電圧 (Vdss):

30V

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):

4.5V,10V

FETタイプ:

Nチャンネル

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

4nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

225 pF @ 15 V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-55°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

電力損失（最高）:

750mW (Ta)

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

70mOhm @ 2.5A, 10V

テクノロジー:

MOSFET （金属酸化物）

Vgs (最大):

±20V

Vgs(th) (最大) @ Id:

3V @ 250µA

製品説明

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